|
Η Hynix έχει τα δικαιώματα για την ISi Z-RAM τεχνολογία για τα μελλοντικά DRAM Chips.
Για να δημιουργήσει η Hynix την DRAM θα χρησιμοποιήσει ένα ενιαίο transistor bitcell
Η Innovative Silicon (ISi) και η Hynix Semiconductor ανήγγειλαν σήμερα μια συμφωνία για τον κορεατικό κατασκευαστή μνήμης στην πνευματική ιδιοκτησία αδειών μνήμης Z-RAM υψηλής πυκνότητας για τη χρήση στα τσιπ DRAM του. Η διαπραγμάτευση μεταξύ των δύο επιχειρήσεων αξίζει περισσότερα από $10 εκατομμύρια, με τα πρόσθετα δικαιώματα στην παραγωγή.
Η Z-RAM αναπτύχθηκε αρχικά ως τεχνολογία παγκόσμιας χαμηλού-κόστους ενσωματωμένη μνήμη για τα logic-based ICs ολοκληρωμένα κυκλώματα όπως τα κινητά chipsets, οι μικροεπεξεργαστές, η δικτύωση και άλλες καταναλωτικές εφαρμογές.
Οι Z-RAM-based DRAMs θα χρησιμοποιήσουν ένα ενιαίο transistor bitcell αντί ενός συνδυασμού από transistors και στοιχείων πυκνωτών, αντιπροσωπεύοντας την πρώτη θεμελιώδη αλλαγή DRAM bitcell από την εφεύρεση του DRAM στις αρχές του 1970.
Η ZAlthough AMD ήταν ο πρώτος σημαντικός κάτοχος άδειας της τεχνολογίας Z-RAM, η Hynix είναι η πρώτη όμως με σχέδια για να φέρει την τεχνολογία Z-RAM στην αγορά DRAM. Η Interactive Silicon και η Hynix δεσμεύουν και οι δυο τους ιδιαίτερους πόρους εφαρμοσμένης μηχανικής για να λειτουργήσουν δίπλα-δίπλα στο πρόγραμμα.
Η Z-RAM υπόσχεται να παρέχει μια κομψή προσέγγιση στην κατασκευή πυκνά DRAM στις nanometer διαδικασίες, είπε ο Sung-Joo Hong, VP της R&D Division στην Hynix. Βλέπουμε είπε τη δυνατότητα να δημιουργήσουμε μια νέα πλατφόρμα των προϊόντων βασισμένων στην καινοτομία ISi του Z-RAM που θα μας βοηθήσει να διατηρήσουμε και να αυξύσουμε τη θέση ηγεσίας μας στην αγορά μνήμης.
Η Hynix είδε μια ιδιαίτερη αύξηση εισοδήματος το 2006, που την βοηθά το να χτυπίσει τον κατάλογο των 10 μεγαλύτερων κατασκευαστών τσιπ στον κόσμο. Ο Jeff Lewis, υπεύθυνος μάρκετινγκ στην ISi, θεωρεί ότι η δύναμη της Hynix στην αγορά μνήμης θα βοηθήσει να ωθήσει στην αύξηση της τεχνολογίας Z-RAM.
«Πιστεύουμε ότι αυτό είναι ένα σημαντικό και κύριο σημείο για την ISi και την Hynix. η Z-RAM θα ασκήσει βαθιά επίδραση στον τρόπο που τα DRAM σχεδιάζονται και κατασκευάζονται» σχολίασε ο Lewis. «Δεδομένου ότι η βιομηχανία DRAM είχε πωλήσεις προϊόντων αξίας περισσότερων από $33 δισεκατομμυρίων το 2006, αυτές οι εξελίξεις, στη συνέχεια, έχουν σημαντικές επιπτώσεις συνολικά στη βιομηχανία ηλεκτρονικών.»
Η Z-RAM της ISi στέκεται εκτός από τις σημερινές τυποποιημένες λύσεις DRAM και SRAM δεδομένου ότι η ενιαία αρχιτεκτονική των transistors της bitcell είναι το κύτταρο παγκόσμιας μικρότερο μνήμης, που έχει την υψηλότερη πυκνότητα, και επομένως είναι η λύση της μνήμης ημιαγωγών χαμηλός-κόστους παγκοσμίως.
Δεδομένου ότι η αρχιτεκτονική της Z-RAM περιλαμβάνει ένα μικρότερο bitcell, η Hynix μπορεί να επιλέξει να κάνει τα προϊόντα μνήμης με τις υψηλότερες πυκνότητες από τι είναι αυτήν την περίοδο δυνατόν με την DRAM.
Η μνήμη κρυσταλλολυχνιών της Z-RAM bitcell πραγματοποιείται με την εκμετάλλευση της επιπλεύσιμης επίδρασης σώματος (FBE) που βρίσκεται στα κυκλώματα που κατασκευάζονται χρησιμοποιώντας κυκλώματα SOI (silicon-on-insulator). Επιπλέον, δεδομένου ότι η Z-RAM εκμεταλλεύεται μια φυσική επίδραση SOI, η Z-RAM δεν απαιτεί τις εξωτικές αλλαγές διαδικασίας για να χτίσει τους πυκνωτές ή άλλες σύνθετες δομές μέσα στη μνήμη bitcell.
Η Innovative Silicon θα βοηθήσει την Hynix να ενσωματώσει την τεχνολογία της Z-RAM στην υπάρχουσα γραμμή παραγωγής της. Όπως με οποιαδήποτε νέα τεχνολογία, μπορούν να υπάρξουν προστιθέμενες δαπάνες ή χαμηλότερη παραγωγή κατά τη διάρκεια της πρόωρης παραγωγής, αλλά η Z-RAM πρέπει τελικά να οδηγήσει στις καλύτερες παραγωγές από τις τρέχουσες τεχνολογίες DRAM λόγω του capacitor-less σχεδίου του.
«Τα memory chips που είναι κατασκευασμένα χρησιμοποιώντας την τεχνολογία της Z-RAM ISi θα είναι πολύ μικρότερα και φτηνότερα για να κατασκευασθούν,» προσθέτει ο Mark-Eric Jones, ISi CEO. «Ανυπομονούμε στην εργασία με την Hynix στην επόμενη γενεά των chips DRAM, και να φέρουμε τα τεράστια πλεονεκτήματα απόδοσης και δυνατότητας στην χρήση τους από τούς τελικούς χρήστες.»
Σχόλια
|
